Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól ?

A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének leküzdésében.

Optimalizálja a mindennapi számítógéphasználatot a TurboWrite technológiával a páratlan olvasási / írási sebesség érdekében

Érje el a legvégső írási / olvasási teljesítményt és maximalizálja a mindennapos számítógéphasználat élményét a Samsung TurboWrite technológiájával. Amellett, hogy a 840 EVO-nál 13%-kal jobb felhasználói élményben lesz része, a 120 / 250 GB-os modellek esetében kétszer gyorsabb közvetlen írási sebességre is szert tehet. A 850 EVO kategóriájának legjobb teljesítményét nyújtja, szekvenciális olvasási (540 MB/s) és írási (520 MB/s) sebességgel. Ráadásul optimalizált közvetlen teljesítményt is kap minden QD-hez az ügyfél számítógéphasználat során.

Hajtson a gyorsítósávban a továbbfejlesztett RAPID módokkal

Használja ki az írási / olvasási teljesítmény minden kapacitását a RAPID móddal, amikor szüksége van rá. Csakúgy, mint a sebváltó az autóban, a Magician szoftver is megadja a lehetőséget, hogy növelje a teljesítményt a rendszer szintjén az adatok feldolgozásával a szabad PC memória (DRAM) cache-ként való használatával, amely 1,8-szer gyorsabb teljesítményt nyújt a RAPID módban.

Garantált tartósság és megbízhatóság 3D V-NAND tehnológiával

A 840 EVO előző generációihoz képest a TBW megduplázásával a 850 EVO garantált tartósságot és megbízhatóságot biztosít. A minimalizált teljesítménycsökkenéssel a 850 EVO a 840 EVO-énál 30%-kal nagyobb teljesítményt képes fenntartani, mely az egyik legmegbízhatóbb háttértárak egyikévé teszi.

Számítógépezzen többet, a fejlett energiahatákonyságnak és a 3D V-NAND-nak köszönhetően

A 850 EVO jelentősen meghosszabbítja notebook-jának akkumulátor élettartamát, a 3D V-NAND-ra optimalizált szabályozó segítségével, mely lehetővé teszi a készülék alvómódba lépését melynek fogyasztása mindössze 2 mW. A 850 EVO most 25%-kal gazdaságosabb a 840 EVO-nál az írási műveletek során, hála a 3D V-NAND-nak, mely csak a felét fogyasztja a sík 2D NAND energiafogyasztásának.

Megvédi az értékes adatokat a teljesítmény feláldozása nélkül

A 850 EVO technológiájához tartozik az AES-256 bites hardver alapú, teljes merevlemezes titkosítás, amely biztosítja az adatok védelmét a teljesítmény csökkenése nélkül és megfelel a TCG ™ Opal v2.0 szabványnak, PSID védelemmel rendelkezik és kompatibilis Microsoft ® eDrive IEEE ® 1667 protokoll-lal.

Védje meg számítógépét a túlmelegedéstől a Dynamic Thermal Guard védelemmel

A Dynamic Thermal Guard védelem figyeli és fenntartja a meghajtó optimális működési hőmérsékletét a fojtószelep funkcióval, amely automatikusan csökkenti az SSD hőmérsékletét, amikor az adatokat meg kell védeni, és biztosítja a reakciókészséget, amelyet Ön elvár.

Váltson a 850 EVO-ra egyszerűen, problémamentesen

A One-stop Install Navigator szoftver segítségével az összes adatot és alkalmazást az SSD-ről vagy HDD-ről a 850 EVO-ra költöztetheti gyorsan és egyszerűen mindössze három lépésben. Továbbá, maximalizálhatja a teljesítményt a Samsung Magician szoftverrel a kényelmes kezelhetőségért.

Minden egyes alkatrész zökkenőmentesen működik együtt

A Samsung egyike azon kevés gyártóknak, amely tulajdonképpen minden SSD komponenst házon belül tervez, így a finomhangolás a fejlesztés minden szakaszában lehetséges. Az eredmény – nagyobb teljesítmény, alacsonyabb energiafogyasztás az 1 GB LPDDR2 DRAM cache memóriával és jobb energiahatékonyság a 3-core MEX vezérlővel.



Így is ismerheti: 850 EVO 1 TB MZ N 5 E 1 T 0 BW, 850EVO1TBMZN5E1T0BW, 850 EVO 1TB MZ N5E1T0BW, 850EVO1TBMZ-N5E1T0BW, 850 EVO 1TB MZ-N5E1T0 BW

Galéria